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第885章 半成品碳基芯片（第2页）

微微停顿了一下，他举起左手上的另一份玻璃器皿，里面则是一块看起来面积更大一些的黑色芯片。

“而这一块则是我们最新制备出来的半成品碳基芯片，通过先进的技术，我们在上面集成了总计六百三十五万枚碳基晶体管。”

“其中‘mosFeT金属-氧化物半导体场效应晶体管’和‘JFeT结型场效应管’分别是的三百七十万和二百三十万，此外还有数十万其他功能的晶体管。”

“毫不夸张的说，它已经具备了大部分硅基芯片的功能。”

“当然，碳基晶体管的数量和碳纳米管集成数有差距的原因在于这块半成品芯片使用的衬底基材本身碳纳米管数量只有千万级。”

“如果是使用我手上这块最新碳基衬底，其碳基晶体管的集成数量能达到亿级！”

“再给我们一段时间，我们能将碳基晶体管的数量集成到至少每平方毫米一千万颗以上”

听到这个数字，站在对面的雷君脸上露出了一抹惊讶。

每平方毫米9oo万颗碳纳米管，总计集成了7。5亿颗。

而六百三十五万枚碳基晶体管

这个数量，虽然和顶尖的硅基芯片上集成的硅晶体管数量还有很大的差距，目前低纳米级的芯片上硅晶体管的数量已经过了百亿。

但是放到碳基芯片这种传说中的实验室产品上，数量提升的程度开天辟地来形容都不为过。

从三千颗提升到现在的六百三十五万颗，这提升的已经不是一个量级了。

而且按照这位赵光贵所长的说法，如果使用他手上另一枚最新碳基衬底，其碳基晶体管数量能突破亿级。

甚至，再给他们一段时间，碳基芯片的晶体管能突破到每平方毫米一千万颗。

如果按照面前他看到的芯片大小约莫一平方厘米的面积来算，也就是1o亿晶体管。

这个数量，如果用最常见的英特尔酷睿处理来对比，差不多是I3五代的水准。

当然，不同芯片的晶体管数量差距很大，哪怕是同一代的硅基芯片，晶体管的数量可能也相差数亿颗甚至更多。

但十亿数量的晶体管，已经足够构建出商业化的芯片了。

至于具体的性能怎么样，是否能过同级别的碳基芯片，能过多少，这些他暂时还不确定。

不过很快，材料研究所的赵光贵就给出了答案。

在简单的介绍完手上这两枚碳基芯片的不同情况后，他接着说道：“虽然说针对碳基芯片的测试还在进行中。”

“不过从目前已经完成的一些检测项目数量来看，它的性能远同级别，或者说同晶体管数量的硅基芯片。”

“比如能耗，这枚碳基芯片的能耗仅仅只有同级别硅基芯片的五分之一都不到！”

“当然，这也和同级别的硅基芯片过于古老，在芯片的构建技术等各方面都有差距，所以才优越这么高。”

“但我们经过理论计算，就算是换成目前顶尖的五纳米集成工艺来制备相同数量的硅基芯片，其能耗也远出我手中的这枚半成品碳基芯片。”

“理论来说，这枚碳基芯片的功耗只有采用相同工艺的硅基芯片功耗的二分之一不到。”

“而且从技术上来说，因为这是试验品，无论是在集成电路的设计，还是芯片晶体管集成等各方面都比较的粗糙，还有十足的优化空间。”

“按照我的估算，碳基芯片的制备工艺和电路涉及这些如果在未来提升上去了，功耗至少能降低到硅基芯片的两到三倍以上！”

在听完赵光贵的介绍后，跟随着徐川一起过来的小米雷总脸上露出了一抹惊讶和震撼的表情。